IBM og Samsung har præsenteret deres seneres store fremskridt i chipdesign. Det er grundæggende en ny måde at stable transistorer lodret på i en chip. I modsætning til nu, hvor de lægges fladt på overfladen af halvlederen. Designet har potentiale til at forlænge mobilens batterilevetid i op til uger, hævder IBM og Samsung.
Designet, der kaldes Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), tillader simpelthen, at der pakkes flere transistorer på den samme mængde plads. Tanken er ikke ny, Intel arbejder også i den retning (pun intended). Men hvor Intel som udgangspunkt arbejder på at stable chipelementerne vertikalt, er IBM og Samsungs løsning at de enkelte transistorer stables vertikalt, fortæller TechUnwrapped.
Det kan sammenlignes med princippet bag skyskrabere; løber man tør for plads i grundplanet, kan man bygge opad i stedet.
Artiklen fortsætter efter annoncen

