IBM og Samsung har præsenteret deres seneres store fremskridt i chipdesign. Det er grundæggende en ny måde at stable transistorer lodret på i en chip. I modsætning til nu, hvor de lægges fladt på overfladen af halvlederen. Designet har potentiale til at forlænge mobilens batterilevetid i op til uger, hævder IBM og Samsung.
Designet, der kaldes Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), tillader simpelthen, at der pakkes flere transistorer på den samme mængde plads. Tanken er ikke ny, Intel arbejder også i den retning (pun intended). Men hvor Intel som udgangspunkt arbejder på at stable chipelementerne vertikalt, er IBM og Samsungs løsning at de enkelte transistorer stables vertikalt, fortæller TechUnwrapped.
Det kan sammenlignes med princippet bag skyskrabere; løber man tør for plads i grundplanet, kan man bygge opad i stedet.
VFTET-designet er stadig i sin vorden, men allerede nu kommer IBM og Samsung med interessante påstande om potentialet. De fortæller, at VFTET-chips kan tilbyde “to gange forbedring i ydeevne eller en 85 procent reduktion i energiforbrug”, sammenlignet med nuværende chipdesign.
Og ved at pakke flere transistorer i chipsene hævder firmaerne, at VFTET-designet kan hjælpe med, at Moores lov overholdes. Moores lov er en matematisk forudsigelse om, at antallet af transistorer i chips vil fordobles hvert andet år.
IBM og Samsung nævner også et par konkrete anvendelsesmuligheder, deriblandt muligheden for “mobiltelefonbatterier, der kan bruges i over en uge uden at blive opladet”, mindre energikrævende datakryptering og mere kraftfulde IoT-enheder.
Hør selskaberne forklare om det nye chipdesign i videoen herunder.